В России создают память нового поколения: сверхтонкие 5-нм плёнки выдерживают 100 млн циклов перезаписи
Сегодня 10:55
Исследователи Московского Физтеха получили рекордно выносливую память на оксиде гафния-циркония (5 нм, 100 млн циклов). Объяснены природа токов утечки и механизм потери данных. Российский...
Подробнее